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Tower prepara polo japonês de chips ópticos de 4 mil milhões

A Tower Semiconductor quer investir cerca de 4 mil milhões de dólares no Japão para expandir fotónica de silício, circuitos SiGe e encapsulamento óptico destinado à infraestrutura de IA.

A redação nullbotPublicado a 26 de setembro de 20263 min de leituraFontes (2)
Um investigador segura uma pastilha de silício acabada num laboratório.
U.S. Department of Energy · Public domain · Wikimedia Commons

A Tower Semiconductor anunciou em 25 de Setembro de 2026 que pretende transformar as suas operações no Japão num grande centro de produção de semicondutores para conectividade óptica. O plano envolve cerca de 4 mil milhões de dólares e visa expandir a produção de componentes usados nas ligações de alta velocidade exigidas por infraestruturas de inteligência artificial.

De acordo com a empresa, o projecto será desenvolvido em duas fases e deverá levar a capacidade japonesa ao equivalente a 45 mil wafers de 300 milímetros por mês em 2029. A Tower calcula que esse nível representaria cerca de 40 vezes a capacidade de 2025. A companhia prevê igualmente criar aproximadamente 200 postos de trabalho.

Financiamento repartido entre empresa e Estado

A Tower diz que contribuirá com 3 mil milhões de dólares para as duas linhas de expansão. O restante, 1 mil milhão de dólares, deverá ser disponibilizado pelo Ministério da Economia, Comércio e Indústria do Japão, o METI. A informação divulgada não especifica as condições do apoio público, os pagamentos por ano nem a parcela dedicada a construção, maquinaria ou qualificação de processos.

  • Reconversão da Fab 6, em Arai, na prefeitura de Niigata, para wafers de 300 milímetros.
  • Aumento da capacidade de SiGe e fotónica de silício na Fab 7, junto a Uozu, em Toyama.
  • Construção prevista de uma nova fábrica de 300 milímetros ao lado da Fab 7.
  • Objectivo de atingir o equivalente a 45 mil wafers de 300 milímetros mensais em 2029.

Na primeira fase, a Tower pretende converter a Fab 6, uma fábrica inactiva em Arai que utiliza wafers de 200 milímetros, numa unidade de 300 milímetros. A instalação deverá produzir fotónica de silício e realizar encapsulamento óptico avançado. Ao mesmo tempo, a empresa quer aumentar a produção de circuitos integrados electrónicos de silício-germânio, designados SiGe EICs, e de circuitos integrados fotónicos de silício, ou SiPho PICs, na Fab 7.

Primeira fase apontada para o quarto trimestre de 2027

A empresa prevê que a primeira fase esteja plenamente pronta para produção no quarto trimestre de 2027. A ampliação da Fab 7 poderá ser feita de forma progressiva à medida que forem instalados mais equipamentos, em vez de esperar pela conclusão e qualificação de uma fábrica completamente nova. Esta data é uma estimativa da Tower; não foram divulgados objectivos trimestrais de produção nem encomendas que garantam a utilização da nova capacidade.

A segunda fase será mais ampla: a Tower tenciona construir uma nova unidade de 300 milímetros junto à Fab 7, em Uozu. A fábrica deverá multiplicar a produção de SiGe EICs e SiPho PICs. Segundo a configuração apresentada, o Japão passaria a ter dois locais dedicados à produção de componentes electrónicos e fotónicos, enquanto a Fab 6 reconvertida também montaria motores ópticos a partir desses componentes.

A ligação entre IA e interconexões ópticas

A fotónica de silício usa sinais de luz para transmitir informação e pode ser combinada com circuitos electrónicos que controlam esses sinais. Estes componentes são relevantes para ligações ópticas de elevada velocidade em servidores e centros de dados. A Tower associa o investimento ao crescimento da infraestrutura de IA, onde a capacidade de transferir dados entre processadores, servidores e sistemas de armazenamento se tornou tão importante como a potência de cálculo.

A expansão deverá também preparar a base japonesa para a óptica co-empacotada, normalmente identificada pela sigla CPO. Esta técnica aproxima componentes ópticos e silício de computação no mesmo conjunto de sistema. A Tower não divulgou uma calendarização detalhada, clientes, características de produto ou um roteiro tecnológico para CPO. Por isso, o projecto deve ser lido como preparação industrial para essa possibilidade, e não como confirmação de produtos CPO já definidos.

Mudança no controlo das fábricas japonesas

O investimento coincide com uma reorganização da presença industrial da Tower no Japão. Segundo a imprensa especializada, a Tower e a Nuvoton Technology Corporation Japan anunciaram em Março de 2026 um acordo que deverá dar à Tower a propriedade total e o controlo operacional da Fab 7 e do negócio de fundição de 300 milímetros. A conclusão era esperada para Abril de 2027. A Nuvoton ficaria com a TPSCo e a Fab 5, em Tonami.

Para empresas portuguesas que compram equipamento de redes, serviços de cloud ou capacidade de centros de dados, o anúncio não implica uma alteração imediata na oferta europeia. A produção plena continua dependente da execução do plano e a Tower não revelou preços, distribuição geográfica da produção ou clientes adicionais. Ainda assim, o investimento evidencia a crescente centralidade dos componentes ópticos na cadeia tecnológica que suporta IA, computação em nuvem e tráfego de dados internacional.

Fontes

  1. 高塔半導體擬砸 40 億美元擴產日本,打造 AI 光通訊晶片基地 | TechNews 科技新報technews.tw
  2. Tower Semiconductor to invest $4 billion in Japanese ops to set up massive optical connectivity hub — dual-track expansion aims to increase output by 40 times by 2029 | Tom's Hardwaretomshardware.com

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