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Tower prévoit un pôle japonais de puces optiques à 4 milliards

Tower Semiconductor annonce un investissement d’environ 4 milliards de dollars au Japon pour accroître les capacités en photonique sur silicium, SiGe et emballage optique avancé.

La rédaction nullbotPublié le 26 septembre 20265 min de lectureSources (2)
Un chercheur tenant une tranche de silicium terminée dans un laboratoire.
U.S. Department of Energy · Public domain · Wikimedia Commons

Le 25 septembre, Tower Semiconductor a annoncé vouloir investir environ 4 milliards de dollars afin de faire de ses activités japonaises un grand pôle de fabrication de puces destinées aux liaisons optiques des infrastructures d’intelligence artificielle. Le programme, organisé en deux étapes, vise des capacités de photonique sur silicium, de silicium-germanium et d’emballage optique avancé dans les préfectures de Niigata et de Toyama. Tower indique que l’aide du ministère japonais de l’Économie, du Commerce et de l’Industrie, à hauteur de 1 milliard de dollars, porterait le financement total à ce montant.

Deux étapes, deux sites existants

La première étape concerne Fab 6, une usine inactive située à Arai, dans la préfecture de Niigata. Tower prévoit de transformer ce site de production 200 mm en une installation 300 mm consacrée à la photonique sur silicium et à l’emballage optique avancé. En parallèle, le groupe compte augmenter la production de Fab 7, à Uozu dans la préfecture de Toyama, où sont déjà fabriqués des circuits intégrés électroniques en silicium-germanium, ou SiGe EIC, ainsi que des circuits intégrés photoniques en photonique sur silicium, ou SiPho PIC.

Tower prévoit que cette première étape atteindra un état de préparation pour la production de volume au quatrième trimestre 2027. Le choix de convertir une usine existante et d’ajouter des équipements sur un site déjà opérationnel doit permettre une montée en capacité progressive. Tom’s Hardware rapporte que Fab 7 est déjà qualifiée pour une production de masse fondée notamment sur des procédés SiGe de la classe 65 nm et des technologies de photonique sur silicium de la classe 45 nm.

  • Fab 6 à Arai doit devenir un site 300 mm de photonique sur silicium et d’emballage optique avancé.
  • Fab 7 à Uozu doit accroître ses capacités en SiGe EIC et en SiPho PIC.
  • Une nouvelle usine 300 mm est prévue à côté de Fab 7 dans la seconde étape.
  • Tower vise 45 000 équivalents plaquettes de 300 mm par mois au Japon en 2029.

Une nouvelle usine prévue à Uozu

La seconde étape prévoit la construction d’une autre usine 300 mm à proximité immédiate de Fab 7 à Uozu. Tower affirme que cette unité augmentera de plusieurs fois la production de SiGe EIC et de SiPho PIC. L’organisation envisagée répartirait les fonctions entre la fabrication de composants à Uozu et l’assemblage de moteurs optiques dans l’ancienne Fab 6 reconvertie à Arai. Selon le groupe, cette architecture doit aussi préparer l’introduction ultérieure de l’optique co-encapsulée, souvent désignée par l’acronyme CPO.

Le fabricant n’a toutefois pas publié de calendrier détaillé pour la construction de cette nouvelle usine ni de feuille de route technique précise pour la CPO. L’annonce présente donc cette capacité comme une préparation à cette technologie, et non comme le lancement d’un produit CPO finalisé. Tom’s Hardware indique par ailleurs que Tower reconnaît l’avance actuelle d’Intel, TSMC et GlobalFoundries dans ce domaine. Cette réserve importe dans un marché où les interconnexions optiques sont devenues un enjeu de l’expansion des centres de données dédiés à l’IA.

3 milliards de Tower, 1 milliard de l’État japonais

Tower prévoit d’apporter 3 milliards de dollars à ses deux volets d’expansion, tandis que le ministère japonais de l’Économie, du Commerce et de l’Industrie fournirait 1 milliard de dollars. L’entreprise cite la base technologique du Japon et la disponibilité de main-d’œuvre qualifiée parmi les motifs de ce choix. Les éléments disponibles ne précisent pas les modalités détaillées de l’aide publique, ni les éventuelles conditions attachées à ce financement.

À l’issue du projet, Tower estime que sa capacité japonaise atteindra l’équivalent de 45 000 plaquettes de 300 mm par mois en 2029, soit environ quarante fois le niveau de 2025. Il s’agit d’une prévision de l’entreprise, qui suppose la réussite de la conversion d’Arai, de l’extension d’Uozu, de la construction du nouveau site et une demande conforme aux attentes. Tower prévoit aussi environ 200 recrutements, sans détailler la répartition entre postes de production, ingénierie, construction ou fonctions de soutien.

Des composants pour les liaisons de données de l’IA

La photonique sur silicium sert à intégrer des fonctions optiques sur un support en silicium. Les circuits SiGe apportent des fonctions électroniques associées aux composants photoniques, tandis que l’emballage optique avancé peut rapprocher ou relier des circuits électroniques et photoniques au sein de moteurs optiques. Ces éléments sont utilisés pour transporter rapidement des données dans des serveurs et d’autres équipements. Tower relie explicitement son projet à la croissance des infrastructures d’IA, mais n’a pas communiqué de volumes de commandes garantis ni identifié de clients pour les nouvelles capacités.

Tom’s Hardware, citant Nikkei, rapporte que Tower contrôlerait plus de 80 % du marché de la fabrication sous contrat de semi-conducteurs de communications optiques utilisés dans les serveurs et compterait notamment Marvell parmi ses clients. Cette part de marché est une information attribuée à Nikkei par cette source secondaire; les documents fournis n’en donnent pas la méthodologie. La capacité annoncée ne doit donc pas être assimilée à une production déjà vendue ou réservée.

La réorganisation japonaise de Tower se poursuit

L’expansion intervient parallèlement à une réorganisation des activités japonaises de Tower. En 2014, Tower avait créé TowerJazz Panasonic Semiconductor avec Panasonic, qui avait apporté des usines à Uozu, Tonami et Arai. Après le retrait de Panasonic des semi-conducteurs en 2020, sa participation est passée à Nuvoton Technology Corporation Japan. Un accord annoncé en mars 2026, dont la finalisation est attendue en avril 2027, prévoit que Tower prenne le contrôle total de Fab 7 et de son activité de fonderie 300 mm.

Dans le même accord, Nuvoton doit devenir pleinement propriétaire de TPSCo et de Fab 5 à Tonami. Pour le Japon, le projet de Tower ajoute une implantation spécialisée dans les composants optiques à la politique de renforcement de la chaîne des semi-conducteurs. Pour les bassins industriels de Niigata et Toyama, ses retombées concrètes dépendront désormais des travaux, des recrutements et de la réalisation du nouveau site. L’objectif affiché est considérable, mais il reste conditionné à des étapes industrielles et financières encore à accomplir.

Sources

  1. 高塔半導體擬砸 40 億美元擴產日本,打造 AI 光通訊晶片基地 | TechNews 科技新報technews.tw
  2. Tower Semiconductor to invest $4 billion in Japanese ops to set up massive optical connectivity hub — dual-track expansion aims to increase output by 40 times by 2029 | Tom's Hardwaretomshardware.com

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