高塔半導體擬投資 40 億美元，在日本建光通訊晶片樞紐

2026 年 9 月 25 日，高塔半導體表示，計畫把日本發展為大型光通訊連結晶片生產中心，總投資規模約 40 億美元。公司稱，資金將用於矽光子、矽鍺與先進光學封裝的製造能力，以因應 AI 基礎設施對高速光互連元件的需求。依公開資訊，這項計畫由高塔投入 30 億美元，日本經濟產業省補助 10 億美元。

計畫涵蓋新潟縣荒井與富山縣魚津兩個據點，並採兩階段推進。高塔預估，全部建設完成後，日本產能將在 2029 年達到每月 4.5 萬片 300mm 晶圓當量，約為 2025 年水準的 40 倍。這是公司提出的產能目標與時程，仍取決於廠房改造、新廠建設、設備導入及量產驗證能否依計畫完成。

兩條擴產路徑同步展開

第一階段將把荒井閒置的 Fab 6 由既有設施改造成 300mm 矽光子與先進光學封裝工廠。同時，高塔將提高魚津 Fab 7 的矽鍺電子積體電路與矽光子光子積體電路產能。高塔說，第一階段預定在 2027 年第四季達到全面量產準備狀態；這代表產線具備量產條件，並不等同於所有規劃產能已在該季完全釋出。

第二階段則是在魚津 Fab 7 旁興建另一座 300mm 晶圓廠，增加矽鍺電子積體電路與矽光子光子積體電路的產出。Tom’s Hardware 報導指出，兩項工作將平行進行，第二階段預期在 2029 年開始對公司財務表現作出實質貢獻。高塔尚未公開新廠的詳細建築進度、設備供應商、單一產線投資額或個別客戶配置。

• 荒井 Fab 6：改造為 300mm 矽光子與先進光學封裝據點。
• 魚津 Fab 7：擴充矽鍺電子積體電路與矽光子光子積體電路產能。
• 魚津新廠：在 Fab 7 鄰近地興建另一座 300mm 晶圓廠。
• 整體目標：2029 年達每月 4.5 萬片 300mm 晶圓當量產能。

從晶片製造延伸到光學引擎組裝

高塔的規劃不只增加晶圓產出。公司表示，改造後的 Fab 6 與魚津產線將形成互補：魚津生產電子與光子元件，荒井則可承擔相關元件的先進光學封裝與光學引擎組裝。所謂光學引擎，通常是將電子與光子元件整合以處理高速資料傳輸的模組性單元；不過公司並未在這次公告中說明將供應哪些具體產品型態。

公開報導將矽光子光子積體電路稱為 SiPho PIC，矽鍺電子積體電路稱為 SiGe EIC。前者可在矽平台上整合光學功能，後者則處理電子訊號功能。高塔的目標是讓日本據點同時具有元件製造與光學引擎組裝能力。這種垂直串接可縮短不同製程據點間的交接，但實際效率、良率與交期仍須待量產後觀察。

共同封裝光學仍是後續方向

高塔表示，擴建將為後續導入共同封裝光學，也就是 CPO，建立基礎。CPO 的概念是在更靠近運算晶片的位置整合光學元件，目的是縮短電子訊號傳輸距離。Tom’s Hardware 指出，高塔承認英特爾、台積電與格羅方德目前在 CPO 領域走在前面；高塔也沒有公布日本 CPO 的產品路線圖、導入日期或客戶名單。

因此，這項投資較準確的解讀是先擴大現有 SiGe 與 SiPho 製造、封裝及組裝基礎，再為可能的 CPO 製程保留發展空間，而非宣布已開始大量供應 CPO 產品。對採購端與資料中心業者而言，公告所提供的是供應能力擴張訊號，尚不足以判斷未來特定元件的價格、功耗、可靠性或交貨時間。

日本既有產線重組是計畫基礎

魚津 Fab 7 原為松下系統的一部分。依 Tom’s Hardware 整理，高塔 2014 年透過與松下成立合資企業取得日本製造基礎；松下於 2020 年退出半導體事業後，其持股轉由新唐科技日本取得。高塔已逐步把魚津的 300mm 設施轉為重要的特殊製程據點，支援 65nm 等級 SiGe 與 45nm 等級 SiPho 技術。

該報導也指出，高塔與新唐正調整原合資架構。依 2026 年 3 月公布、預計 2027 年 4 月完成的協議，高塔將取得 Fab 7 及其 300mm 晶圓代工業務的完整所有權與營運控制權；新唐則將取得合資公司與位於礪波的 Fab 5。這項交易預計完成的時間並非已完成事實，仍應與本次擴產的建設時程分開看待。

補助、人才與地方供應鏈的實際考驗

高塔稱，日本成熟的技術基礎與熟練人才是加碼投資的重要原因，並預計增聘約 200 人。經濟產業省的 10 億美元補助，使政府承擔整體投資約四分之一的金額。公告沒有列出補助撥付條件、就業職缺分布、土地與能源安排，也沒有說明新增人員將在荒井、魚津或其他單位任職。

對台灣產業而言，這項計畫反映 AI 伺服器與資料中心投資正把焦點延伸到光互連、封裝與特用製程，而不只集中在邏輯晶片先進製程。日本的設備、材料與零組件供應網可能因而增加合作機會；同時，工程人才與關鍵設備的競逐也可能加劇。高塔能否按 2027 年與 2029 年節點落地，將是評估這個日本光通訊晶片樞紐影響力的關鍵。