Tower拟在日本投资40亿美元建设光芯片枢纽

2026年9月25日，Tower Semiconductor表示，计划把日本业务发展为大型光连接半导体生产中心。该项目总额约40亿美元，面向人工智能基础设施对高速光互连不断增长的需求。公司称，扩产将覆盖硅光子、硅锗电子集成电路和先进光学封装，并将分两个阶段推进。

按Tower公布的目标，项目完成后，其日本产能将在2029年达到每月相当于4.5万片300毫米晶圆，约为2025年水平的40倍。公司还计划新增约200名员工。上述数字均为企业预期，现有资料没有披露各年度产能爬坡、设备交付安排或客户订单的具体情况。

企业出资30亿美元，日本补助10亿美元

Tower称，将为两条扩产线投入30亿美元；日本经济产业省预计提供10亿美元支持，使项目总额达到约40亿美元。公开材料没有说明补助的拨付条件、支付节奏，也没有列明新建厂房、工艺改造、设备采购和人员培训各自占用多少资金。因此，项目的资金规模可以确认，但具体执行结构仍未完全公开。

• 将新潟县荒井的闲置Fab 6从200毫米转为300毫米生产设施。
• 扩大富山县鱼津Fab 7的SiGe EIC与SiPho PIC产能。
• 在Fab 7旁规划建设新的300毫米晶圆厂。
• 在2029年实现每月相当于4.5万片300毫米晶圆的日本产能。

第一阶段包括改造位于新潟县荒井的Fab 6。该厂目前闲置，原为200毫米晶圆设施；Tower计划把它转换为300毫米制造基地，用于硅光子和先进光学封装。与此同时，鱼津附近的Fab 7将增加硅锗电子集成电路，即SiGe EIC，以及硅光子光子集成电路，即SiPho PIC的生产。

首阶段目标为2027年第四季度具备全面量产条件

Tower预计，第一阶段将在2027年第四季度达到全面量产准备状态。公司采用一边改造、一边扩充既有厂房的方式，可随着新增设备安装而逐步提高产出，而不必完全等待新工厂建成后再开始放量。不过，这一时间表属于公司预测，报道所依据的公开信息未提供阶段性验收标准、良率目标或已经签署的采购承诺。

第二阶段将与第一阶段并行推进，核心是在富山县鱼津Fab 7旁建设另一座300毫米晶圆厂。Tower称，新厂将大幅增加SiGe EIC和SiPho PIC的产能。按其描述，未来日本将有两个地点制造电子与光子器件，而改造后的Fab 6还将承担光引擎组装功能，把不同组件整合为可用于高速光连接的产品。

光互连是AI基础设施的一环

硅光子技术利用光信号传输信息，可与负责驱动和控制的电子电路结合使用。此类组件应用于服务器和数据中心的高速光连接。Tower将此次投资与AI基础设施增长联系起来：大规模计算不仅需要处理器，也需要在芯片、服务器、机柜和存储系统之间快速传送数据的网络连接。

公司还表示，日本扩产将为后续导入共封装光学技术，也就是CPO，铺路。CPO通常指把光学组件放置得更靠近计算芯片，以缩短系统内电连接距离。Tower并未披露CPO产品的路线图、导入时间、技术规格或客户安排。因此，这部分表述应视为产能和工艺准备方向，而不是已确定的商业产品发布计划。

扩产与日本业务重组同步进行

此次投资也发生在Tower重组日本制造业务的时期。据专业媒体报道，Tower与Nuvoton Technology Corporation Japan在2026年3月宣布一项协议，预计在2027年4月完成。协议完成后，Tower将取得Fab 7及其300毫米代工业务的全部所有权和运营控制权；Nuvoton则将取得TPSCo和位于砺波的Fab 5。

Tower此前通过与松下相关的日本制造资产建立当地生产基础，Fab 7已成为其重要的特色工艺基地。公司称，选择继续在日本投资的原因包括当地成熟的技术基础和熟练人才。公开材料没有说明这项扩张是否会改变其他国家或地区的产能配置，也没有公布新增客户名单、售价或面向不同市场的供货比例。

对中国供应链的直接影响尚难判断

对中国的数据中心运营商、网络设备厂商和云服务企业而言，这一公告不会立即改变光通信芯片的可得性。项目的首阶段仍需推进至2027年底，整体产能目标则指向2029年；Tower也未公布面向中国市场的供货计划。更直接的信号在于，AI部署正在推动半导体产业把注意力从计算芯片本身延伸到光模块、光引擎、封装和高速互连等环节。日本新产能能否按计划落地，以及其客户和产品组合如何形成，仍有待后续披露。