Tower proyecta un centro japonés de chips ópticos por $4.000 millones
Tower Semiconductor plantea invertir unos 4.000 millones de dólares en Japón para ampliar la fotónica de silicio, los circuitos SiGe y el empaquetado óptico para infraestructura de IA.

El 25 de septiembre, Tower Semiconductor anunció planes para invertir aproximadamente 4.000 millones de dólares y convertir sus operaciones japonesas en un gran centro de fabricación de chips para conectividad óptica vinculada a la infraestructura de inteligencia artificial. El programa se divide en dos fases y contempla ampliar la producción de fotónica de silicio, silicio-germanio y empaquetado óptico avanzado en las prefecturas de Niigata y Toyama. Tower afirma que el proyecto incluye 1.000 millones de dólares de apoyo del Ministerio japonés de Economía, Comercio e Industria.
Conversión de una planta y ampliación de otra
La primera fase se concentra en Fab 6, una fábrica inactiva en Arai, prefectura de Niigata. Tower prevé reconvertir esta instalación de 200 mm en una planta de 300 mm dedicada a la fotónica de silicio y al empaquetado óptico avanzado. A la vez, busca elevar la capacidad de Fab 7, en Uozu, prefectura de Toyama. Allí ya produce circuitos integrados electrónicos de silicio-germanio, denominados SiGe EIC, y circuitos integrados fotónicos de fotónica de silicio, conocidos como SiPho PIC.
La compañía calcula que la primera fase estará preparada para la producción a pleno volumen en el cuarto trimestre de 2027. El planteamiento combina la reutilización de una planta existente con la instalación progresiva de más equipos en una fábrica que ya opera, en vez de depender únicamente de una nueva instalación. Tom’s Hardware informa que Fab 7 ya está cualificada para producción masiva con procesos SiGe de la clase de 65 nm y tecnologías de fotónica de silicio de la clase de 45 nm.
- Fab 6 en Arai se transformará en una instalación de 300 mm para fotónica de silicio y empaquetado óptico.
- Fab 7 en Uozu aumentará la producción de SiGe EIC y SiPho PIC.
- La segunda fase contempla una nueva fábrica de 300 mm junto a Fab 7.
- Tower prevé llegar a 45.000 equivalentes de obleas de 300 mm mensuales en Japón en 2029.
Una nueva fábrica junto a Fab 7
La segunda fase contempla construir otra fábrica de 300 mm junto a Fab 7 en Uozu. Tower sostiene que la nueva instalación multiplicará la producción de SiGe EIC y SiPho PIC. Según el diseño anunciado, Uozu concentraría la fabricación de componentes, mientras que la Fab 6 reconvertida en Arai ensamblaría motores ópticos a partir de esos elementos. La empresa dice que esta combinación también dejará preparada la base para incorporar más adelante óptica coempaquetada, conocida por las siglas CPO.
Tower no ha difundido un calendario detallado de construcción de la nueva fábrica ni una hoja de ruta técnica específica para CPO. Por ello, el anuncio debe entenderse como una preparación de capacidad para esa tecnología y no como la presentación de un producto CPO terminado. Tom’s Hardware señala además que Tower reconoce que Intel, TSMC y GlobalFoundries llevan actualmente ventaja en óptica coempaquetada. Esa limitación es relevante porque el segmento de las interconexiones ópticas gana importancia con la expansión de los centros de datos de IA.
Financiación compartida con el Gobierno japonés
Tower prevé aportar 3.000 millones de dólares con fondos propios, mientras que el Ministerio japonés de Economía, Comercio e Industria aportaría otros 1.000 millones. La suma sitúa el proyecto en torno a los 4.000 millones de dólares. La empresa ha citado la base tecnológica consolidada de Japón y su mano de obra especializada entre las razones para ampliar allí su presencia. El material disponible no detalla las condiciones, el calendario de desembolso ni los requisitos asociados a la ayuda pública.
La empresa estima que, una vez concluido el programa, la capacidad japonesa alcanzará en 2029 el equivalente a 45.000 obleas de 300 mm por mes, aproximadamente cuarenta veces el nivel de 2025. Es una proyección corporativa, no una capacidad ya instalada. Su cumplimiento dependerá de que se complete la conversión de Arai, se amplíe Uozu, se construya la nueva planta y evolucione la demanda según lo esperado. Tower también prevé contratar a unas 200 personas, aunque no ha precisado los perfiles ni las fechas de incorporación.
El objetivo: enlaces ópticos para sistemas de IA
La fotónica de silicio integra funciones ópticas sobre silicio. Los circuitos SiGe pueden aportar funciones electrónicas que trabajan junto a los componentes fotónicos, y el empaquetado óptico avanzado permite unir o acercar circuitos electrónicos y fotónicos en motores ópticos. Estos componentes se emplean para mover datos mediante enlaces ópticos en servidores y otros equipos. Tower vincula el plan con el rápido crecimiento de la infraestructura de IA, pero no ha identificado clientes ni ha comunicado qué parte de la futura capacidad cuenta ya con pedidos comprometidos.
Tom’s Hardware, citando a Nikkei, informa de que Tower controlaría más del 80 % del mercado de fabricación por contrato de semiconductores de comunicaciones ópticas utilizados en servidores y que atiende a clientes entre los que figura Marvell. Esa cifra de cuota está atribuida a Nikkei a través de una fuente secundaria y el material entregado no aporta su metodología. Por tanto, no permite concluir por sí sola que toda la expansión anunciada tenga ventas aseguradas.
La expansión coincide con una reordenación societaria
El plan coincide con una reestructuración de las operaciones japonesas de Tower. En 2014, la compañía creó TowerJazz Panasonic Semiconductor junto con Panasonic, que aportó fábricas en Uozu, Tonami y Arai. Después de que Panasonic abandonara el negocio de semiconductores en 2020, su participación pasó a Nuvoton Technology Corporation Japan. Un acuerdo anunciado en marzo de 2026 y previsto para cerrarse en abril de 2027 establece que Tower asumirá la propiedad y el control operativo total de Fab 7 y de su negocio de fundición de 300 mm.
Nuvoton, por su parte, pasará a tener la propiedad total de TPSCo y de Fab 5 en Tonami. Para Japón, la iniciativa añade una apuesta de gran escala por componentes ópticos dentro de la cadena de suministro de semiconductores. Para Niigata y Toyama, las consecuencias prácticas dependerán de la ejecución: convertir una fábrica inactiva, ampliar una línea existente, levantar una nueva planta y completar el cambio de propiedad. El volumen previsto es relevante, pero seguirá siendo un objetivo hasta que esos hitos industriales se materialicen.



