타워, 일본 광통신 칩 거점에 40억달러 투자 계획
타워 세미컨덕터는 9월 25일 일본에서 실리콘 포토닉스, SiGe, 첨단 광 패키징 생산능력을 확대하는 약 40억달러 규모 계획을 밝혔다. 회사는 2029년 일본 생산능력을 월 300mm 웨이퍼 환산 4만5,000장으로 높이겠다는 목표를 제시했다.
2026년 9월 25일 타워 세미컨덕터는 일본을 대규모 광통신 연결용 반도체 생산 거점으로 육성하기 위해 약 40억달러를 투자할 계획이라고 밝혔다. 회사 설명에 따르면 투자 대상은 실리콘 포토닉스, 실리콘게르마늄, 첨단 광 패키징 생산능력이다. AI 인프라 확대에 따라 고속 광 연결 부품 수요가 늘고 있다는 판단이 배경으로 제시됐다. 전체 자금 가운데 타워가 30억달러를 부담하고, 일본 경제산업성이 10억달러를 지원하는 구조다.
계획은 니가타현 아라이와 도야마현 우오즈의 생산시설을 중심으로 두 단계로 진행된다. 타워는 모든 계획이 완료되면 2029년 일본 생산능력이 300mm 웨이퍼 환산 월 4만5,000장에 이를 것으로 예상했다. 이는 회사가 제시한 2025년 수준의 약 40배라는 수치다. 다만 이는 설비 반입, 공장 전환, 신설 공장 건설, 양산 인증이 계획대로 이뤄진다는 전제의 목표이며, 이미 실현된 생산능력은 아니다.
유휴 공장 전환과 기존 라인 증설
첫 번째 단계에서 타워는 니가타현 아라이의 유휴 Fab 6를 300mm 실리콘 포토닉스 및 첨단 광 패키징 생산시설로 전환할 계획이다. 동시에 도야마현 우오즈 인근 Fab 7에서는 SiGe EIC와 SiPho PIC 생산량을 늘린다. SiGe EIC는 실리콘게르마늄 전자 집적회로, SiPho PIC는 실리콘 포토닉스 광자 집적회로를 뜻한다. 타워는 첫 단계가 2027년 4분기에 완전 양산 준비 상태에 도달할 것으로 내다봤다.
Tom’s Hardware 보도에 따르면 Fab 7은 이미 여러 공정 기술을 활용해 SiGe EIC와 SiPho PIC를 양산하고 있는 300mm 시설이다. 타워의 방식은 새 공장이 완공될 때까지 기다리기보다, 추가 장비를 설치하면서 기존 시설의 출력을 점진적으로 키우는 데 초점이 맞춰져 있다. 그러나 이번 발표에는 단계별 설비 수량, 개별 공정의 증설 폭, 고객별 배정 물량, 제품별 가동률은 공개되지 않았다.
- 아라이 Fab 6는 300mm 실리콘 포토닉스와 첨단 광 패키징 시설로 전환된다.
- 우오즈 Fab 7은 SiGe EIC와 SiPho PIC의 기존 생산능력을 확대한다.
- Fab 7 인근에는 또 다른 300mm 웨이퍼 공장을 신설할 계획이다.
- 일본 전체 생산능력의 목표치는 2029년 월 4만5,000장, 300mm 웨이퍼 환산 기준이다.
두 번째 축은 우오즈 신공장
두 번째 단계에서는 Fab 7 옆에 별도의 300mm 제조시설을 세운다. 이 공장은 SiGe EIC와 SiPho PIC 생산을 여러 배로 늘리는 역할을 맡을 것으로 회사는 설명했다. Tom’s Hardware는 이 단계가 첫 단계와 병행해 시작되고, 2029년부터 타워의 실적에 의미 있는 기여를 할 것으로 예상된다고 전했다. 다만 신공장의 착공일, 준공일, 장비 공급업체, 공정별 투자비는 발표 자료에 포함되지 않았다.
타워가 그리는 일본 내 역할 분담은 세 곳의 생산 기능을 묶는 방식이다. 우오즈의 기존 Fab 7과 새 공장은 전자 및 광자 집적회로 생산을 확대하고, 전환된 Fab 6는 관련 부품을 조합하는 첨단 광 패키징과 광학 엔진 조립을 맡는다. 회사는 이를 통해 일본 거점이 부품 제조와 광학 엔진 조립을 함께 수행할 수 있다고 밝혔다. 실제 공급 체계의 효율은 향후 양산 운영을 통해 확인될 사안이다.
CPO는 아직 후속 단계의 목표
타워는 이번 증설이 공동 패키지 광학, 즉 CPO 도입을 위한 기반도 마련한다고 밝혔다. CPO는 광학 부품을 연산용 실리콘 가까이에 통합하는 접근법으로 설명된다. 고속 연결에서 전기 신호가 이동하는 거리를 줄이는 방향으로 활용될 수 있다. 그러나 타워는 일본에서의 CPO 제품 출시 시점, 구체적 공정, 고객사, 양산 규모를 공개하지 않았다.
Tom’s Hardware는 타워가 인텔, TSMC, 글로벌파운드리스가 현재 CPO 분야에서 앞서 있다고 인정했다고 보도했다. 따라서 이번 발표를 CPO의 즉각적인 대량 공급 선언으로 해석하기는 어렵다. 공개된 정보가 보여주는 것은 SiGe, SiPho, 광 패키징, 광학 엔진 조립 기반을 먼저 넓히고 이후 CPO 관련 제조기술을 도입할 여지를 확보하겠다는 전략이다. 가격, 전력 소모, 신뢰성, 납기와 같은 구매 판단 정보는 아직 제한적이다.
파나소닉 계열 시설에서 타워 중심 체제로
우오즈 Fab 7은 과거 파나소닉 계열 제조기반의 일부였다. Tom’s Hardware에 따르면 타워는 2014년 파나소닉과의 합작을 통해 일본 제조 거점을 확보했다. 파나소닉이 2020년 반도체 사업에서 철수한 뒤 지분은 누보톤 테크놀로지 코퍼레이션 재팬으로 넘어갔다. 타워는 우오즈의 300mm 시설을 65nm급 SiGe와 45nm급 SiPho 기술을 지원하는 특화 생산거점으로 점진적으로 전환해 왔다.
보도에 따르면 타워와 누보톤은 기존 합작 구조도 재편하고 있다. 2026년 3월 발표돼 2027년 4월 완료가 예정된 계약에 따라, 타워는 Fab 7과 300mm 파운드리 사업의 완전한 소유권 및 운영권을 확보할 예정이다. 누보톤은 합작회사와 도나미의 Fab 5를 완전히 소유하게 되는 구조다. 이 거래는 완료 예정인 사안이므로, 이미 끝난 소유권 이전으로 표현해서는 안 된다.
보조금과 지역 공급망이 남긴 과제
타워는 일본의 성숙한 기술 기반과 숙련 인력을 추가 투자 이유로 들었으며 약 200명을 새로 채용할 계획이라고 밝혔다. 경제산업성의 10억달러 지원은 총 투자액의 약 4분의 1에 해당한다. 그러나 보조금 지급 조건, 신규 인력의 직무와 근무지, 전력과 부지 확보 방식, 지역 협력업체에 대한 발주 규모는 이번 공개 자료에서 확인되지 않는다. 이런 세부 항목은 사업의 지역 파급효과를 판단하는 데 중요하다.
한국 반도체 산업에는 AI 인프라 투자가 첨단 로직뿐 아니라 광 연결, 특수 공정, 패키징 역량으로도 확장되고 있음을 보여주는 사례다. 한국의 장비·소재·부품 기업에는 일본 내 공급망과의 협력 기회가 생길 수 있는 반면, 광통신용 인력과 핵심 장비를 둘러싼 경쟁도 커질 수 있다. 타워가 2027년 4분기 양산 준비와 2029년 생산능력 목표를 실제로 지키는지가 일본 광통신 칩 허브 계획의 실질적 영향을 가를 기준이 될 전망이다.
